[发明专利]能使位错移位的制造和处理绝缘体上半导体型结构体的方法及相应结构体

摘要

本发明主要涉及一种制造和处理连续包含载体基板(1)、氧化物层(3)和半导体材料的薄层(2)的绝缘体上半导体型结构体的方法，根据所述方法：1)在所述薄层(2)上形成掩模，以界定未被掩模覆盖的所述层的表面上的暴露区域(20)；2)进行热处理，以促使氧化物层(3)的至少部分氧透过薄层(2)扩散，引起对应于所需图案的氧化物层(3)的区域(30)中氧化物的受控去除；所述方法特征在于，所述载体基板(1)和薄层(2)相对于彼此的设置使得它们的晶格在平行于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“扭转角”的角，并在垂直于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“倾角”的角，其特征还在于使用厚度低于的薄层(2)。

主权项

一种制造和处理连续包含载体基板(1)、氧化物层(3)和半导体材料的薄层(2)的绝缘体上半导体型结构体的方法，所述结构体通过以下方式获得：a)在所述载体基板(1)上结合包含所述半导体层(2)的给体基板，这些基板具有相同的晶体取向；b)薄化所述给体基板以只留下所述薄层(2)，‑在所述载体基板(1)和薄层(2)中的一个和/或另一个上涂布有氧化物层(3)；‑所述载体基板(1)和薄层(2)各自在平行于它们的界面的平面中分别具有第一和第二晶格(R1，R2)；其中：1)在所述薄层(2)上形成掩模(4)，以界定所述层的表面上的暴露区域(20)，所述暴露区域(20)未被掩模(4)覆盖并根据所需图案分布；2)在受控的中性或还原性气氛下并在受控的时间和温度条件下进行热处理，以促使氧化物层(3)的至少部分氧透过薄层(2)扩散，引起对应于所述所需图案的氧化物层(3)的区域(30)中氧化物的受控去除，并且其特征在于：‑在步骤a)中，所述载体基板(1)和薄层(2)相对于彼此的设置，使得在所述载体基板(1)和薄层(2)之间并沿所述平行于它们的界面(I)的平面内，所述晶格形成不超过1°的称为“扭转角”的角(α)，并在垂直于它们的界面(I)的平面内，所述晶格形成不超过1°的称为“倾角”的角(β)；‑使用厚度低于1100埃的薄层(2)。