[发明专利]制造晶片层合体的方法、制造晶片层合体的装置、晶片层合体、剥离支撑体的方法以及制造晶片的方法无效
申请号: | 200980142450.1 | 申请日: | 2009-08-27 |
公开(公告)号: | CN102197470A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 秋山良太;中岛伸哉;齐藤一太 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/283 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 梁晓广;关兆辉 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种制造晶片层合体的方法、一种用于制造晶片层合体的装置、一种晶片层合体、一种剥离支撑体的方法以及一种制造晶片的方法,其均能够改善晶片反面的磨削特性。一种方法包括将晶片(2)吸到位于上方的晶片吸附台上,将支撑体(3)吸到位于下方的支撑体吸附台上,并将所述晶片和所述支撑体设置为在竖直方向上彼此相对(2)和所述支撑体(3);将液态粘合剂树脂施加到与所述晶片(2)相对的所述支撑体(3)的相对面上,以用于形成粘合剂层;在维持两者间的平行性的同时使所述晶片(2)和所述支撑体(3)彼此靠近,并向介于两者间的粘合剂树脂施加压力并使所述粘合剂树脂铺展开,从而用所述粘合剂树脂填充所述晶片(2)和所述支撑体(3)之间的空间,并在所述晶片的外周上形成树脂突出部分(4a)。 | ||
搜索关键词: | 制造 晶片 合体 方法 装置 剥离 支撑 以及 | ||
【主权项】:
一种制造晶片层合体的方法,所述晶片层合体包括:a)晶片;b)支撑体,用于支撑所述晶片;c)粘合剂层,用于将所述晶片和所述支撑体粘附到彼此;以及d)形成在所述晶片的外周上的树脂突出部分;所述方法包括以下步骤:(1)将所述晶片吸到位于上方的晶片吸附台上,将所述支撑体吸到位于下方的支撑体吸附台上,并将所述晶片和所述支撑体设置为在竖直方向上彼此相对;(2)将液态粘合剂树脂施加到与所述晶片相对的所述支撑体的相对面上,以用于形成所述粘合剂层;(3)在保持所述晶片和所述支撑体之间的平行性的同时使所述晶片和所述支撑体彼此靠近,并且向介于所述晶片和所述支撑体之间的所述粘合剂树脂施加压力并使所述粘合剂树脂铺展开,从而用所述粘合剂树脂填充所述晶片与所述支撑体之间的空间,并且在所述晶片的所述外周上形成所述树脂突出部分;和(4)当所述晶片层合体达到预定厚度时,用紫外线照射所述粘合剂树脂,从而使所述粘合剂树脂硬化并形成所述粘合剂层。
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