[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 200980142808.0 | 申请日: | 2009-11-11 |
公开(公告)号: | CN102197463A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 神户宽久 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/00;B23K26/08;B23K26/10;H01L31/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 基板处理装置对具有基板(62)和设置在该基板(62)上的膜面(61)的被处理基板(60)中的、该膜面(61)的边缘部(61a、61b)进行处理。基板处理装置具备:吸附保持部(10),在基板(62)位于膜面(61)上方的状态下,从上方吸附保持被处理基板(60);激光照射装置(20),照射激光(L);以及激光移动部(22),使上述激光照射装置(20)在水平方向上移动。在从激光照射装置(20)照射激光(L)的同时使该激光照射装置(20)移动,由此对由吸附保持部(10)保持的被处理基板(60)中的膜面(61)的边缘部(61a、61b)进行处理。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,对具有基板和设置在该基板上的膜面的被处理基板中的、该膜面的边缘部进行处理,其特征在于,该基板处理装置具备:吸附保持部,在上述膜面位于上述基板另一侧的状态下,从一侧吸附保持上述被处理基板;激光照射装置,照射激光;以及激光移动部,使上述激光照射装置移动;在从上述激光照射装置照射激光的同时使该激光照射装置移动,由此对由上述吸附保持部保持的上述被处理基板中的上述膜面的边缘部进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造