[发明专利]用于以厚度降低的有源层形成应变晶体管的结构应变基板有效
| 申请号： | 200980143116.8 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102239547A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | J·亨治尔;A·魏;S·拜尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84;H01L21/762;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在应变SOI(silicon on insulator；绝缘体上硅)半导体层中，可选择适当降低工作区的目标高度以减少通常发生于沟槽隔离结构图案化期间的应力松弛，从而使晶体管元件能够形成于该高度降低之工作区上，其中，该工作区仍可包括大部分的初始应变分量。该高度降低之工作区可方便地用于形成全耗尽型场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 厚度 降低 有源 形成 应变 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在基板上方设置含硅半导体层，该含硅半导体层具有内部双轴应变；在该含硅半导体层中形成隔离沟槽；降低该含硅半导体层的厚度；以及使用绝缘材料填充该隔离沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
