[发明专利]晶体管内与先进的硅化物形成结合的凹槽式漏极和源极区有效
| 申请号： | 200980143153.9 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102203915A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | U·格里布诺;A·卫;J·亨奇科;T·沙伊帕 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/165;H01L29/417;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在形成复杂的晶体管元件的制造工艺中，可减少栅极的高度，也可在各自的金属硅化物区域形成之前，在共同的蚀刻序列得到漏极和源极配置。因为在蚀刻序列时，相应的侧壁间隔结构可维持，因此可控性和栅电极内的硅化处理的统一性可加强，从而得到减少程度的阈值变异性。此外，可提供凹槽式漏极和源极配置以减少整体串联电阻和增加应力传递效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 先进 硅化物 形成 结合 凹槽 式漏极 源极区 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在半导体材料内形成的第一晶体管的漏极和源极区，相较于该第一晶体管的栅极绝缘层的表面定义的高度水平，该漏极和源极区有一凹槽式表面部分置于较低的高度水平；该栅极绝缘层上形成的栅电极，该栅电极包含该栅极绝缘层上形成的掺硅材料和该掺硅材料上形成的金属硅化物材料；间隔结构，具有较该栅电极的高度更高的高度；以及形成于该漏极和源极区内的金属硅化物区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
