[发明专利]在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中加电期间的数据保护有效
| 申请号： | 200980143154.3 | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102197433A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杨赛森;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)阵列，其包括多个位单元(420到432)、一加电控制器(405)及第一多个预充电晶体管(410到413)。所述多个位单元各自耦合到多个位线(BL)及字线(WL)中的一者。所述加电控制器经配置以在加电期间提供加电控制信号以控制所述位线或所述字线中的至少一者的电压电平。所述第一多个预充电晶体管分别耦合到所述多个位线或所述多个字线中的至少一者，每一预充电晶体管经配置以基于所述加电控制信号而将对应的位线或字线放电到所要电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 转移 力矩 磁阻 随机存取存储器 中加电 期间 数据 保护 | ||
【主权项】：
一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)阵列，其包含：多个位单元，其各自耦合到多个位线及字线中的一者；加电控制器，其经配置以在加电期间提供加电控制信号以控制所述位线或所述字线中的至少一者的电压电平；第一多个预充电晶体管，其分别耦合到所述多个位线或所述多个字线中的至少一者，每一预充电晶体管经配置以基于所述加电控制信号而将对应的位线或字线放电到所要电压电平。
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