[发明专利]具有软错误翻转抗扰性的易失性存储器元件

摘要

提供一种存储器元件，当其经受高能原子粒子冲击时展现出对软错误翻转事件的抗扰性。存储器元件可以各自具有十个晶体管。为克服写入数据到存储器元件的困难，可以调整向阵列提供的信号中一个或多个的信号强度。可以具有用于向每个存储器元件供电的两个正电源电压。电源电压中的一个可以相对于另一个电源电压临时降低，从而在数据加载操作期间增强写入容限。以该方式可以调整的其它信号强度包括其它电源信号、数据信号电平、地址和清除信号幅度以及地信号强度。可调节电源电路和数据读写控制电路可以用于进行这些信号强度的调整。

主权项

一种存储器元件电路，包含：具有至少四个互连的反相器类晶体管对和至少一个访问晶体管的存储器元件，其中所述存储器元件被配置为在内部节点上存储数据；以及在改变以下中至少一个的同时将数据加载到所述存储器元件中的电路：向所述存储器元件供电的电源电压的幅度、加载到所述存储器元件中的数据信号的数据信号幅度或控制所述访问晶体管的地址信号的地址信号幅度。