[发明专利]具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接无效
申请号: | 200980145539.3 | 申请日: | 2009-11-09 |
公开(公告)号: | CN102217032A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 栗田真一;梅兰·贝德亚特;稻川真 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明所揭示的实施方式与已熔接在一起的一大型真空腔室主体有关。该腔室主体在其中至少一表面上具有一高发射率涂层。由于腔室主体的大型尺寸,腔室主体是通过将数个部件熔接在一起而形成,而非以单一金属部件来锻造该主体。这些部件在与该主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起,该位置在排空期间为最大应力处,以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。该腔室主体的至少一表面可涂覆有一高发射率涂层以助于来自进入的受热基板的热传递。该高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。 | ||
搜索关键词: | 具有 发射 涂层 大型 空腔 主体 电子束 熔接 | ||
【主权项】:
一种腔室主体,其包含多个部件,所述多个部件耦接在一起以共同形成具有含四个弯处的一内部表面的该腔室主体,该腔室主体包含:一第一部件,包含:一第一部分及延伸通过该第一部分的一第一开口,该第一部分具有大于一第一宽度的一第一长度;一第一凸缘,其在与该第一宽度实质垂直的一方向上自该第一部分延伸一第一距离,该第一凸缘自该四个弯处中的一第一弯处延伸;以及一第二凸缘,其在与该第一宽度实质垂直的一方向上自该第一部分延伸一第二距离,该第二凸缘自该四个弯处中的一第二弯处延伸;一第二部件,其耦接至该第一凸缘并在与该第一宽度实质垂直的一方向上延伸;一第三部件,其耦接至该第二凸缘并在与该第一宽度实质垂直且与该第二部件平行的一方向上延伸;以及一第四部件,其耦接至该第二部件与该第三部件,该第四部件包含:一第二部分及延伸通过该第二部分的一第二开口,该第二部分具有大于一第二宽度的一第二长度;一第三凸缘,其在与该第二宽度实质垂直的一方向上自该第二部分延伸一第三距离;以及一第四凸缘,其在与该第二宽度实质垂直的一方向上自该第二部分延伸一第四距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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