[发明专利]具有在分别的接合衬底上形成的沟道、电极及半导体的电子器件

摘要

一种电子器件具有两个接合构件。第一构件包括：界定用于接收流体的流体沟道的衬底，以及在衬底上形成并被流体沟道分隔开的第一和第二电极。第二构件包括衬底和在衬底上形成的半导体。该半导体具有可调制电性质。接合构件，其中半导体跨过流体沟道桥接电极并靠近流体沟道，从而允许半导体电性质由在流体沟道中接收的流体来调制。电极和半导体可实质上包含碳纳米管。衬底可包括可层叠材料。各衬底可实质上包含聚合材料。

主权项

一种器件，包括：第一构件，其包括：第一衬底，其包括第一可层叠材料并定义用于接收流体的流体沟道，以及第一和第二电极，其形成在所述第一衬底上并被所述流体沟道分隔开，所述第一和第二电极均包括导电结构；以及第二构件，其包括：第二衬底，其包括第二可层叠材料，以及半导体，其形成在所述第二衬底上且包括具有可调制电性质的结构；其中，所述第二构件接合到所述第一构件，所述半导体跨过所述流体沟道桥接所述第一和第二电极，且所述半导体的所述结构靠近所述流体沟道，以便允许在所述流体沟道中接收的所述流体靠近所述半导体的所述结构以用于调制通过所述半导体的所述第一和第二电极之间的电阻。