[发明专利]制造衬底的方法有效
申请号: | 200980148548.8 | 申请日: | 2009-11-11 |
公开(公告)号: | CN102239540A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 斯科特·西里斯;古尔特杰·S·桑胡;安东·德维利耶 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制造衬底的方法包括在衬底上形成第一隔开特征及第二隔开特征。所述第一隔开特征具有在组合物上与所述第二隔开特征的高度上最外区域不同的高度上最外区域。所述第一隔开特征及第二隔开特征相互交替。从所述衬底移除每隔一个第一特征,且形成成对紧邻的第二特征,其与所述第一特征中的剩余者中的个别者交替。在此移除动作之后,经由掩模图案处理所述衬底,所述掩模图案包含与所述第一特征中的剩余者中的个别者交替的所述成对紧邻的第二特征。还揭示其它实施例。 | ||
搜索关键词: | 制造 衬底 方法 | ||
【主权项】:
一种制造衬底的方法,其包含:在衬底上形成隔开第一特征;在所述隔开第一特征的侧壁上形成各向异性蚀刻隔片;从所述衬底移除所述隔开第一特征且形成包含所述隔片的隔开第二特征;在所述隔开第二特征上沉积第一材料,所述第一材料具有不同于所述隔开第二特征的组合物的某组合物,所述第一材料具有非平面最外表面;在所述第一材料上沉积第二材料,所述第二材料具有不同于所述第一材料的组合物且不同于所述隔开第二特征的组合物的某组合物,所述第二材料具有平面最外表面;移除所述第二材料的仅一部分以暴露所述第一材料且形成收纳于所述第一材料上的隔开第二材料;在形成所述隔开第二材料之后,从所述隔开第二材料之间蚀刻所述第一材料,且形成包含收纳于第一材料上的隔开第二材料的隔开第三特征,所述第三特征与所述第二特征隔开;及经由包含所述隔开第二特征及所述隔开第三特征的掩模图案处理所述衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980148548.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:膜片式涡轮增压器电控泄压阀
- 下一篇:交流发光二极管装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造