[发明专利]具有接合垫下方的沟槽的特征的RF器件和方法

摘要

期望在公共衬底(45)上具有有源器件区域(46)和接合垫(BP)区域(60)的电子元件(44、44′、44″)包括BP(35)下面的电介质区域以随着电子元件(44、44′、44″)被缩放至较高的功率和/或工作频率来减小BP(35)及其互连(41)的寄生阻抗。由纯(例如，仅氧化物)电介质区域(36′)产生的机械应力可能负面地影响性能、制造合格率、垫与器件接近度和所占用面积。这可以通过提供具有比其中它们所嵌入的电介质材料(78、78′、78″)小的热膨胀系数(TEC)和/或接近衬底(45)TEC的电隔离内含物(65、65′、65″)的复合电介质区(62、62′、62″)来避免。对于硅衬底(45)而言，多晶或非晶硅适用于内含物(65、65′、65″)和用于电介质材料(78、78′、78″)的氧化硅。内含物(65、65′、65″)优选地具有通过电介质材料(78、78′、78″)隔离并被包含在电介质材料(78、78′、78″)内的叶片状形状中。

主权项

一种电子元件，包括：半导体(SC)衬底，所述半导体(SC)衬底具有第一热膨胀系数(TEC)以及有源器件区域和接合垫区域；接合垫，所述接合垫位于所述接合垫区域中；复合电介质区域，所述复合电介质区域在所述接合垫区域中位于所述接合垫下面，并且包括具有第二TEC的绝缘材料；所述复合电介质区域内的另一材料的内含物，所述另一材料具有小于所述第二TEC的第三TEC，其中，所述内含物与所述衬底和所述接合垫电隔离；以及有源器件，位于所述有源器件区域中并且接近所述复合电介质区域，具有通过互连被电耦合到所述接合垫的第一端子。