[发明专利]最小化对存储器阵列及支持电路的位干扰及电压耐受要求的用于对N沟道金属氧化物半导体电可擦除可编程只读存储器单元阵列进行编程及擦除的方法

摘要

本发明提供一种用于对NMOS电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元阵列进行编程及擦除的方法，其最小化对所述存储器阵列单元及支持电路的位干扰及高电压要求。另外，可通过形成其上制作有独立可编程存储器段的多个电隔离的P阱将所述N沟道存储器单元阵列分离成所述存储器段。举例来说，可通过p-n结隔离或电介质隔离来形成所述多个电隔离的P阱。

主权项

一种擦除存储器阵列中的多个存储器段中的选定存储器段的方法，所述存储器阵列包括位于P型衬底内的深N阱中的多个P阱，其中所述多个存储器段中的每一者驻存于所述多个P阱中的相应P阱内，所述方法包括以下步骤：将所述深N阱设定为约4伏；将所述多个P阱中的选定P阱设定为约4伏；将所述多个P阱中的未选P阱设定为约‑7伏；将多个字线中的选定字线设定为约‑11伏；将所述多个字线中的未选字线设定为约零伏；将所述多个P阱中的所述选定P阱中的第一多个位线设定为约4伏；将所述多个P阱中的所述未选P阱中的第二多个位线设定为约零伏；将与所述多个P阱中的所述选定P阱相关联的第一源极选择栅极线设定为约4伏；将与所述多个P阱中的所述选定P阱相关联的第一源极选择漏极线设定为约4伏；将与所述多个P阱中的所述未选P阱相关联的第二源极选择栅极线设定为约‑7伏；将与所述多个P阱中的所述未选P阱相关联的第二源极选择漏极线设定为约‑7伏；其中擦除所述多个存储器段中的位于所述多个P阱中的所述选定P阱内且耦合到所述多个字线中的所述选定字线的所述选定存储器段。