[发明专利]具有结场效应晶体管装置结构的低功率存储器装置有效
| 申请号： | 200980149816.8 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102246294A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 钱德拉·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/808;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有JFET装置结构(100)的低功率存储器装置。具体来说，提供一种包含多个存储器单元的低功率存储器装置，所述多个存储器单元具有存储器元件(54)及电耦合到所述存储器元件的JFET存取装置(100)。可使用基于扩散的隔离物来隔离所述存储器单元。所述JFET可具有凹入式栅极。所述JFET可为鳍式JFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 场效应 晶体管 装置 结构 功率 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包括：多个存储器单元，所述存储器单元包括：存储器元件；及JFET存取装置，其电耦合到所述存储器元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
