[发明专利]结场效应晶体管装置结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200980149820.4 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102246312A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 钱德拉·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337;H01L27/06;H01L27/108;H01L27/11;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明技术，提供一种JFET装置结构及其制作方法。具体来说，提供包含具有源极(84)及漏极(86)的半导体衬底的晶体管(80)。所述晶体管(80)还包含形成于所述半导体衬底中所述源极(84)与所述漏极(86)之间的经掺杂沟道(88)，所述沟道(88)经配置以在所述源极(84)与所述漏极(86)之间传递电流。另外，所述晶体管(80)具有：栅极(90)，其包括形成于所述沟道(88)上方的半导体材料；及电介质间隔物(92)，其位于所述栅极(90)的每一侧上。所述源极(84)及所述漏极(86)在空间上与所述栅极(90)分离，使得所述栅极(90)不在所述漏极(86)及源极(84)上方。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 装置 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其包括：半导体衬底，其包括源极及漏极；经掺杂沟道，其形成于所述半导体衬底中所述源极与所述漏极之间，所述沟道经配置以在所述源极与所述漏极之间传递电流；栅极，其包括形成于所述沟道上方的半导体材料；及电介质间隔物，其位于所述栅极的每一侧上，其中所述源极及所述漏极在空间上与所述栅极分离，使得所述栅极不位于所述源极及漏极上方。
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