[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200980151001.3 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102257620A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 东田祥史 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的半导体衬底；多个第二导电型的半导体区域，其分别与半导体衬底的第一主面平行地沿行方向或列方向延伸，且分别埋入以一定间隔彼此分开的、形成于半导体衬底内的多个条纹状沟槽内，通过使耗尽层彼此相接，将半导体衬底和半导体区域耗尽。该耗尽层从由半导体衬底分别与半导体区域形成的多个pn结向与第一主面平行的方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；多个第二导电型的半导体区域，其分别与所述半导体衬底的第一主面平行地沿行方向或列方向延伸，且分别埋入以一定间隔彼此分开的、形成于所述半导体衬底内的多个条纹状沟槽内，通过使耗尽层彼此相接，将半导体衬底和半导体区域耗尽，该耗尽层从由半导体衬底分别与半导体区域形成的多个pn结向与第一主面平行的方向延伸。
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