[发明专利]包括中点基准的随机存取存储器架构有效
| 申请号： | 200980152282.4 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102265350A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | J·J·纳哈斯;T·W·安德;C·K·赛伯拉玛尼安 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种随机存取存储器架构包括具有第一电阻的第一对串联存储元件(202，206，302，306，402，404)和与第一对串联存储元件并联耦合的具有第二电阻的第二对串联存储元件(204，208，304，308，406，408)，其中电流沿着第一方向流过第一和第二对串联存储元件两者。感测放大器(14)与每个都包括存储元件的MRAM单元(77)的阵列(16)耦合，并且包括电压偏置部分(12)，该电压偏置部分包括第一和第二对串联存储元件。该存储元件可以是，例如，磁性隧道结。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 中点 基准 随机存取存储器 架构 | ||
【主权项】：
一种随机存取存储器架构，包含：存储单元的阵列，每个存储单元具有包含第一电阻状态和第二电阻状态之一的可编程状态；以及耦合在第一节点与第二节点之间并具有在第一电阻状态的电阻与第二电阻状态的电阻之间的电阻的中点基准，其包含：与第一节点耦合并具有包含第一电阻状态和第二电阻状态之一的可编程状态的第一存储元件；与第二节点耦合并与所述第一存储元件耦合且具有包含第一电阻状态和第二电阻状态之一的可编程状态的第二存储元件；以及有选择地与所述第一或第二存储元件耦合，以便感测耦合的第一或第二存储元件处在所述第一还是第二电阻状态下的电路。
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