[发明专利]用于形成阵列双图案的间隔物有效
| 申请号： | 200980153701.6 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102272886A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | S·M·列扎·萨贾迪;阿米特·杰恩 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于形成具有外周边缘区域的阵列区域的方法，其中衬底配置为处于刻蚀层之下，所述刻蚀层配置为处于限定所述阵列区域和覆盖整个所述边缘区域的有图案的有机掩膜之下。修整所述图案化的有机掩膜。在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层，其中，所述有机掩膜的所述被覆盖的边缘区域上的所述无机层的厚度大于所述有机掩膜的所述阵列区域上的所述无机层的厚度。向下刻蚀所述无机层以暴露所述有机掩膜且在所述阵列区域形成无机间隔物，同时保留所述有机掩膜在边缘区域不暴露。剥除暴露于所述阵列区域的所述有机掩膜，同时保留所述无机间隔物处于所处位置且保护在所述边缘区域的所述有机掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 阵列 图案 间隔 | ||
【主权项】：
一种用于形成具有外周边缘区域的阵列区域的方法，其中衬底配置为处于刻蚀层之下，所述刻蚀层配置为处于限定所述阵列区域和所述边缘区域的图案化的有机掩膜之下，包括：修整所述图案化的有机掩膜；在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层，所述有机掩膜的所述边缘区域上的所述无机层的厚度大于所述有机掩膜的所述阵列区域上的所述无机层的厚度；向下刻蚀所述无机层以暴露所述有机掩膜且在所述阵列区域形成无机间隔物，同时保留所述有机掩膜在边缘区域不暴露；和剥除暴露于所述阵列区域的所述有机掩膜，同时保留所述无机间隔物处于所处位置且保护在所述边缘区域的所述有机掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
