[发明专利]硅纯度测定器、硅分类装置以及硅纯度测定方法无效
| 申请号： | 200980161762.7 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102549418A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 泷泽务;成川利明 | 申请（专利权）人： | 东洋玻璃株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/72 | 分类号： | G01N27/72 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可防止硅的金属污染并能够测定硅的内部纯度的硅纯度测定器、硅分类装置以及硅纯度测定方法。硅纯度测定器(10)包括：检查台；产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于该检查台上的硅的内部的磁场发生器(14)；判断瞬断测定用磁场后的磁场衰减程度的判断部(36)，所述硅纯度测定器(10)根据判断部(36)所判断的衰减程度来确定硅的内部纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 测定 分类 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纯度测定器，其特征在于，包括：检查台；磁场发生器，其产生测定用磁场，并使磁通穿过配置于该检查台上的硅的内部；判断部，其判断瞬断所述测定用磁场后的磁场的衰减程度，所述硅纯度测定器根据所述判断部所判断的衰减程度来确定所述硅的内部纯度。
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