[发明专利]用于硅通孔的ESD/天线二极管有效
| 申请号： | 200980162252.1 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102598254A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 苏清;倪敏;唐宗武;J·卡瓦;J·D·斯普罗克 | 申请（专利权）人： | 新思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 概括地说，在围绕TSV的禁止区内至少部分地形成天线二极管，并且通过金属1层导体将其连接到所述TSV，同时将所述TSV连接到放置在所述禁止区外的一个或多个晶体管的扩散区或栅极多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅通孔 esd 天线 二极管 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：半导体衬底；TSV，穿过所述衬底并且具有与其横向邻近的禁止区；晶体管，具有位于所述衬底中的扩散区、栅极导体以及将所述栅极导体与所述衬底隔开的栅极电介质，所述扩散区安置在所述禁止区外；第一区域，其安置在所述衬底中且至少部分地位于所述禁止区内，所述第一区域掺杂为展现第一导电类型，位于邻近所述第一区域的至少第二区域中的所述衬底掺杂为展现与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及M1层导体，其将所述TSV、所述第一区域以及由所述扩散区和所述栅极导体构成的组中的一者互连。
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