[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200980163021.2 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102668092A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 美浓浦优一;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂宁乐;向勇 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 设置有：第一导电型的第一氮化物半导体层（1）；在第一氮化物半导体层（1）上形成产与第一氮化物半导体层（1）相接的第一导电型的第二氮化物半导体层（5）；与第二氮化物半导体层（5）相接的第二导电型的第三氮化物半导体层（4）；与第三氮化物半导体层（4）相接的第一导电型的第四氮化物半导体层（3）；使第一氮化物半导体层（1）和第四氮化物半导体层（3）绝缘分离的绝缘膜（2）。俯视时，源电极（8）位于绝缘膜（2）的外缘的内侧。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型的第一氮化物半导体层，在上述第一氮化物半导体层上形成并与上述第一氮化物半导体层相接的第一导电型的第二氮化物半导体层，与上述第二氮化物半导体层相接的第二导电型的第三氮化物半导体层，与上述第三氮化物半导体层相接的第一导电型的第四氮化物半导体层，使上述第一氮化物半导体层和上述第四氮化物半导体层绝缘分离的绝缘膜，在上述第一氮化物半导体层的背面形成的漏电极，在上述第四氮化物半导体层上形成的源电极，在上述第三氮化物半导体层上隔着栅绝缘膜形成的栅电极；俯视时，上述源电极位于上述绝缘膜的外缘的内侧。
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