[发明专利]半导体装置以及构成半导体结构的方法

摘要

本发明公开一种半导体装置以及构成半导体结构的方法，该半导体装置包括基底、深井区、以及第一高端装置。基底具有第一传导型态。深井区具有第二传导型态，且形成在基底上。第一高端装置配置在深井区内，且包括隔离层、井区、第一区域、第二区域、以及第一多晶硅材料。隔离层具有第二传导型态且形成在基底。井区具有第一传导型态且形成在深井区内。第一区域及第二区域皆具有第二传导型态且皆形成在井区内。第一多晶硅材料配置在第一区域与第二区域之间且在深井区上。

主权项

一种半导体装置，包括：基底，具有第一传导型态；深井区，具有第二传导型态，且形成在该基底上；以及第一高端装置，配置在该深井区内，且包括：隔离层，具有该第二传导型态，且形成在该基底；井区，具有该第一传导型态，且形成在该深井区内；第一区域及第二区域，皆具有该第二传导型态，且皆形成在该井区内；以及第一多晶硅材料，配置在该第一区域与该第二区域之间且在该深井区上。