[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010002026.1 | 申请日： | 2010-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101777543A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 白木诚一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：导电部，所述导电部形成在半导体芯片上；以及凸块电极，所述凸块电极直接或间接形成在导电部上。导电部包括狭缝部，所述狭缝部具有的厚度比导电部的其它部分更薄。凸块电极在狭缝部上方具有与狭缝部相对应的凹陷部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：导电部，所述导电部形成在所述半导体芯片上；以及凸块电极，所述凸块电极直接或间接形成在所述导电部上，其中，所述导电部包括：狭缝部，所述狭缝部具有比所述导电部的其它部分更薄的厚度，其中，所述凸块电极在所述狭缝部上方具有与所述狭缝部相对应的凹陷部。
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