[发明专利]半导体芯片堆迭及其制作方法无效
| 申请号： | 201010002112.2 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102117800A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 宣明智;冯台生 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体芯片堆迭及其制作方法。该半导体芯片堆迭，包含有一第一芯片与一第二芯片。该第一芯片具有一第一电路，以一第一积集密度设置于该第一芯片内；而该第二芯片则具有一第二电路，以一第二积集密度设置于该第二芯片内，且该第二积集密度小于该第一积集密度。该第一芯片还包含至少一第一直通硅穿孔结构，电性连接该第一芯片与该第二芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片堆迭，包含有：一第一芯片，具有一第一电路，以一第一积集密度设置于该第一芯片内；以及一第二芯片，具有一第二电路，以一第二积集密度设置于该第二芯片内，且该第二积集密度小于该第一积集密度；其中该第一芯片还包含至少一第一直通硅穿孔结构，连接该第一芯片与该第二芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010002112.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微生物同步发酵正十一烷生产十一碳二羧酸方法
- 下一篇：旋转检测传感器
- 同类专利
- 专利分类
