[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种光电动势装置，包括：用于电分离第一背面电极和第二背面电极的第二开沟部、在第一开沟部和第二开沟部之间的区域中，以从第二背面电极的上表面至少切断中间层的方式形成的第三开沟部、以至少覆盖中间层的切断部的方式埋入在第三开沟部内的第一绝缘部件、和在第二开沟部和第三开沟部之间的区域中，与第一基板侧电极电连接，并且跨越第三开沟部而与第二背面电极电连接的导电性部件。

主权项

一种光电动势装置，其特征在于，包括：具有绝缘性表面的基板；在所述基板的绝缘性表面上形成的，由第一开沟部所分离的第一基板侧电极和第二基板侧电极；以覆盖所述第一基板侧电极和所述第二基板侧电极的方式而形成的第一光电变换部；隔着具有导电性的中间层在所述第一光电变换部的表面上形成的第二光电变换部；在所述第二光电变换部的表面上形成的，分别与所述第一基板侧电极和所述第二基板侧电极对应的由银构成的第一背面电极和第二背面电极；用于电分离所述第一背面电极和所述第二背面电极的第二开沟部；在所述第一开沟部和所述第二开沟部之间的区域中，以至少切断所述第二光电变换部和所述中间层的方式形成的第三开沟部；以至少覆盖所述中间层的切断部的方式埋入在所述第三开沟部内的第一绝缘部件；和在所述第二开沟部和所述第三开沟部之间的区域中，与所述第一基板侧电极电连接，并且跨越所述第三开沟部而与所述第二背面电极电连接的由银构成的导电性部件，还包括在所述第二开沟部和所述第三开沟部之间的区域中，以贯通所述第二背面电极、所述第二光电变换部、所述中间层和所述第一光电变换部，并且露出所述第一基板侧电极的表面的方式形成的第四开沟部；所述导电性部件被形成为以与在所述第四开沟部内露出的所述第一基板侧电极的表面接触的方式埋入在所述第四开沟部中，并且跨越埋入在所述第三开沟部内的所述第一绝缘部件而与所述第二背面电极电连接。