[发明专利]一种LED背光结构无效
| 申请号： | 201010004292.8 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101749602A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈志光 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S8/00 | 分类号： | F21S8/00;F21V8/00;F21V13/00;F21V23/00;G02F1/13357;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于TMOS技术的LED背光结构，至少包括：一光源；一导光板，具有一TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列，用于接收来自光源的光；以及一OpcuityTM活性层，与导光板相对设置，该活性层包括：一基底薄膜；位于基底薄膜上方的软导线；以及一MEMS元件，位于软导线上方，其中，活性层的MEMS元件对应于LCD像素而设置。采用本发明的LED背光结构，由于MEMS元件(例如微光学层)完全对应于LCD像素平面上的像素，采用破坏全反射的工作原理，可以使背光结构可以同时实现Global Dimming和Local Dimming，从而消除了图像边界处所造成的不均匀现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 背光 结构 | ||
【主权项】：
一种基于TMOS(Time Multiplexed Optical Shutter，时序多工光学快门)技术的LED背光结构，其特征在于，所述LED背光结构至少包括：一光源；一导光板，具有一TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列，用于接收来自所述光源的光；以及一OpcuityTM活性层，与所述导光板相对设置，包括：一基底薄膜；位于所述基底薄膜上方的软导线；以及一MEMS(Micro Electrical Mechanical System，微电机系统)元件，位于所述软导线上方，其中，所述活性层的MEMS元件对应于LCD像素而设置。
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