[发明专利]一种超微锥电极阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201010013597.5 | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN101804960A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 景蔚萱;蒋庄德;朱明智;周贵庭;杜明贤;王琛英;赵凤霞 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜，并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口；其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹坑，后去除残留的SiO2膜；然后在950℃条件下对硅片进行热氧化形成SiO2膜，随后在硅片上有正四棱锥形凹坑的一面用射频磁控溅射工艺溅射超微电极材料，并经光刻和刻蚀工艺形成超微电极位置和引线图形；再用气相沉积工艺在超微电极材料表面沉积Si3N4薄膜，并用光刻和刻蚀工艺在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微电极键合窗口；最后用TMAH从背面对硅片进行减薄刻蚀直到露出一定高度的SiO2凸台，再对该SiO2凸台进行刻蚀以便露出具有一定高宽比的超微电极，最终得到纳米尺度的超微锥电极阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超微锥 电极 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超微锥电极阵列，其特征在于：包括作为基底的单面抛光薄硅片(2)，及制作在该硅片(2)中的若干组正四棱锥形凹坑，以及覆盖在该硅片(2)及正四棱锥形凹坑上的一层厚度不一致的SiO2薄膜(3)，在SiO2薄膜(3)表面设置一层400nm并图形化的导电金属膜电极材料层(4)，且在导电金属膜电极材料层(4)上设置有700nm并图形化的Si3N4保护膜(5)。
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