[发明专利]利用选择性外延提升SONOS闪存器件可靠性的方法有效
| 申请号： | 201010027215.4 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102117779A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨欣;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用选择性外延提升SONOS闪存器件可靠性的方法，包括如下步骤：第一步，采用选择性外延工艺在硅衬底上生长外延掺杂层；第二步，在外延掺杂层上生长隧穿氧化层；第三步，在隧穿氧化层上生长氮氧化硅陷阱层，并同时用N2O对其进行原位掺杂，形成氮氧化硅混合物，作为存储电荷的介质；第四步，在氮氧化硅陷阱层上生长高温热氧化层。该方法利用选择性外延掺杂生长来代替离子注入对擦写电压进行调节，从而避免对硅表面的损伤，从而使SONOS闪存器件的可靠性寿命得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 选择性 外延 提升 sonos 闪存 器件 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
一种利用选择性外延提升SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，采用选择性外延工艺在硅衬底上生长外延掺杂层；第二步，在外延掺杂层上生长隧穿氧化层；第三步，在隧穿氧化层上生长氮氧化硅陷阱层，并同时用N2O对其进行原位掺杂，形成氮氧化硅混合物，作为存储电荷的介质；第四步，在氮氧化硅陷阱层上生长高温热氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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