[发明专利]具有屏蔽栅的功率MOS器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201010027314.2 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102130169A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;缪进征 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有屏蔽栅的功率MOS器件结构，为在沟槽底部下方外延层内有底部离子注入区，所述底部离子注入区的掺杂类型与体区相同，掺杂浓度比所述外延层的掺杂浓度要高，且所述底部离子注入区与源极形成电连接。本发明的具有屏蔽栅的功率MOS器件结构，在带屏蔽栅结构的基础上对栅漏电容进一步有效降低，同时又增加了源漏击穿电压(也可称降低通态电阻)。本发明还公开了一种具有屏蔽栅的功率MOS器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 功率 mos 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有屏蔽栅的功率MOS器件结构，其特征在于：在沟槽底部下方外延层内有底部离子注入区，所述底部离子注入区的掺杂类型与体区相同，掺杂浓度比所述外延层的掺杂浓度要高，且所述底部离子注入区与源极形成电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010027314.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：燃料电池的供电方法与供电装置
- 下一篇：EEPROM器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
