[发明专利]SRAM的版图结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010027328.4 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102130129A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈广龙;谭颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L23/528;H01L21/8244;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM的版图结构，包括有源区、第一层多晶硅、第二层多晶硅、接触孔电极和金属连线；所述SRAM单元划分为CMOS1和CMOS2；其中CMOS1由晶体管PMOS1和NMOS1组成，CMOS2由晶体管PMOS2和NMOS2组成；晶体管PMOS1的漏极和NMOS1的漏极通过第二层多晶硅相连接，晶体管PMOS2的漏极和NMOS2的漏极也通过第二层多晶硅相连接；CMOS1的栅极、PMOS2的漏极、NMOS2的漏极通过金属连线相连接；CMOS2的栅极、PMOS1的漏极、NMOS1的漏极通过金属连线相连接。本发明具有版图结构简单、制造方便的优点。 | ||
| 搜索关键词： | sram 版图 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM的版图结构，其特征是，包括有源区、第一层多晶硅、第二层多晶硅、接触孔电极和金属连线；所述SRAM单元划分为CMOS1和CMOS2；其中CMOS1由晶体管PMOS1和NMOS1组成，CMOS2由晶体管PMOS2和NMOS2组成；晶体管PMOS1的漏极和NMOS1的漏极通过第二层多晶硅相连接，晶体管PMOS2的漏极和NMOS2的漏极也通过第二层多晶硅相连接；CMOS1的栅极、PMOS2的漏极、NMOS2的漏极通过金属连线相连接；CMOS2的栅极、PMOS1的漏极、NMOS1的漏极通过金属连线相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
