[发明专利]高压隔离型LDNMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高压隔离型LDNMOS器件，包括了一深N阱、沟道区、源区、漏区以及多晶硅栅，在漏区和沟道区之间的深N阱中形成有浅沟槽隔离，在浅沟槽隔离底部的深N阱中形成有一高压P阱和低压N阱，器件的漂移区由漏区和沟道区间的深N阱、低压N阱以及高压P阱组成。本发明还公开了该高压隔离型LDNMOS器件的制造方法。本发明并不需要新加光罩，而仅是对现有高压隔离型LDNMOS的高压P阱以及SONOS的低压N阱的版图进行变动就能实现，能够使高压器件的击穿特性和源漏导通电阻特性同时优化，并能大大降低成本。

主权项

一种高压隔离型LDNMOS器件，其特征在于，包括：一P型衬底，衬底电极通过形成于衬底中的低压P阱再做P+欧姆接触引出，所述衬底电极形成隔离环；一深N阱，所述深N阱电极通过低压N阱一做N+欧姆接触引出；一沟道区，由形成于所述深N阱中的高压P阱一组成，通过一P+欧姆接触引出沟道电极；一源区，由形成于所述沟道区中N+掺杂区组成，直接做欧姆接触引出源极；一漏区，由形成于所述深N阱中的低压N阱二中的N+掺杂区组成，直接形成欧姆接触引出漏极；在所述漏区和沟道区之间的所述深N阱中形成有浅沟槽隔离场氧化层，所述浅沟槽隔离场氧化层和所述漏区相连、和所述沟道区相隔一定距离，在所述浅沟槽隔离场氧化层下的深N阱中形成有高压P阱二和低压N阱三，所述高压P阱二的深度大于所述低压N阱三的深度、所述低压N阱三重叠在所述高压P阱二的上部，所述高压P阱二和低压N阱三的顶部和所述浅沟槽隔离场氧化层的底部相连；所述漏区和所述沟道区间的深N阱、低压N阱二、低压N阱三以及高压P阱二组成器件的漂移区；一多晶硅栅，形成于所述沟道区上，一端和所述源区邻接、另一端延伸在部分所述浅沟槽隔离场氧化层上，覆盖了源区和漏区间的所述沟道区、部分所述漂移区和部分所述浅沟槽隔离场氧化层，所述多晶硅栅通过栅氧化层和所述沟道区、部分所述漂移区隔离。