[发明专利]一种横向功率器件版图结构无效
| 申请号： | 201010028145.4 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101771084A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 乔明;胡曦;罗波;叶俊;蒋苓利;傅达平;段双亮;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区被栅电极所包围，栅电极被源电极所包围；每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或正n边形，其中n≥3。本发明布局紧凑，无需额外的曲率终端设计，具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点，可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 功率 器件 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种横向功率器件版图结构，包括源电极(1)、栅电极(2)、轻掺杂漂移区(3)和漏电极(4)；其特征在于：所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极(4)、轻掺杂漂移区(3)、栅电极(2)和源电极(1)，且漏电极(4)被轻掺杂漂移区(3)所包围，轻掺杂漂移区(3)被栅电极(2)所包围，栅电极(2)被源电极(1)所包围；每个元胞的源电极(1)、栅电极(2)、轻掺杂漂移区(3)和漏电极(4)以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或正n边形，其中n≥3。
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