[发明专利]在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法

摘要

在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法，它涉及多孔Al2O3膜的制备方法。本发明解决了现有制备多孔Al2O3膜的方法复杂，膜厚度大、脆且易碎，采用这种膜制备的纳米线无序且长度过大的问题。方法：一、取基片进行表面清洗，然后烘干，再采用磁控溅射的方式在基片上溅射Al膜，然后在氩气保护下热处理，得镀有Al膜的基片；二、以镀有Al膜的基片为阳极，不锈钢片为阴极，草酸溶液为电解液进行阳极氧化，即完成。本发明简化了制备步骤，操作简单，易于控制，加工成本低廉，制备的Al2O3膜厚度为6～10μm、膜的韧性好，采用本发明中的Al2O3膜制备纳米线，所得纳米线行序且长度在3～5μm可控。

主权项

在非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法，其特征在于非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备方法按以下步骤实现：一、取基片进行表面清洗，然后烘干，再采用磁控溅射的方式在基片上溅射Al膜，然后在氩气保护及500～700℃下热处理1～2h，得镀有Al膜的基片；二、以镀有Al膜的基片为阳极，不锈钢片为阴极，草酸溶液为电解液进行阳极氧化，即完成非铝基底上电化学定向生长多孔Al2O3膜的制备；其中步骤一中基片为陶瓷基片或玻璃基片；步骤一中Al膜的质量纯度为99.99％；步骤一中磁控溅射的条件：氩气流量为14.0～20.0，压强为0.5～1Pa，电压为180～220V，电流为0.15～0.28A，镀膜时间为3～7h，在磁控溅射过程中基片需加热，温度为500～700℃；步骤二中阳极氧化条件：阴阳极间距为3cm，电解液浓度为0.035～2g/L，电解液温度为0℃，电源为直流稳压稳流源，电压恒定在240V，阳极氧化时间为6～12h，阳极氧化过程中一直对电解液进行磁力搅拌。