[发明专利]一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法有效
| 申请号： | 201010040050.4 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101786628A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 余学功;顾鑫;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法，包括如下步骤：将金属硅去油、洗净；然后加入到氢氧化铝胶体中混匀、干燥；再在水煤气气氛中加热并两次保温后冷却至室温；最后在盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后用去离子水清洗干净而得到纯度为4～5N的高级金属硅。本发明利用铝吸杂对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，工艺简单，大幅降低了成本，可得到较纯的硅材料作为太阳能电池用硅材料或其进一步提纯的原料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用铝膜包覆 提纯 金属硅 方法 | ||
【主权项】：
一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法，其特征在于：包括如下步骤：1)将金属硅去油、洗净；2)将步骤1)的产物加入到氢氧化铝胶体中，其中氢氧化铝与硅的质量比为2∶1，混匀，干燥；3)将步骤2)的产物在水煤气气氛中加热至800～1000℃，保温2～5h；降温至650～750℃，保温1～3h；冷却至室温；4)将步骤3)的产物取出，用质量百分比浓度为5％～20％的盐酸和质量百分比浓度为1％～10％的氢氟酸按体积比1∶1浸泡1～5个小时，用去离子水清洗干净。
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