[发明专利]NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构

摘要

本发明公开了一种NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构。该结构由两个双极型晶体管构成第一可控硅，用于正电源线与需保护的芯片引脚之间的ESD防护；由另外两个双极型晶体管构成第二可控硅，用于需保护的芯片引脚与负电源线之间的ESD防护；利用第一可控硅和第二可控硅中的各一个双极型晶体管构成第三可控硅，用于正电源线与负电源线之间的ESD防护。采用NMOS场效应晶体管降低各个可控硅的触发电压，特别适用于深亚微米工艺集成电路的片上ESD防护。

主权项

一种NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构，包括：第一可控硅(SCR1)，由第一双极型晶体管(30)和第二双极型晶体管(31)构成，其中第一双极型晶体管(30)的发射极接正电源线(VDD)，第二双极型晶体管(31)的发射极接需保护的芯片引脚(IN)；第二可控硅(SCR2)，由第三双极型晶体管(32)和第四双极型晶体管(33)构成，其中第三双极型晶体管(32)的发射极接所述的需保护的芯片引脚(IN)，第四双极型晶体管(33)的发射极接负电源线(VSS)；其特征在于，设有NMOS场效应晶体管(38)，NMOS场效应晶体管(38)的漏极接入第一双极型晶体管(30)及第三双极型晶体管(32)的基极，NMOS场效应晶体管(38)的源极、栅极和衬底相连接，且接入第二双极型晶体管(31)和第四双极型晶体管(33)的基极。