[发明专利]一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。

主权项

一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上通过浅槽隔离定义有源区，然后依次生长栅介质、淀积多晶硅，并进行多晶硅栅注入；2)在多晶硅栅上淀积并刻蚀硬介质I，定义沟道区，再淀积硬介质II，并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II，其中硬介质I和硬介质II是不同的材料，可以通过不同的化学试剂进行选择性腐蚀；3)在硬介质I和II掩膜上涂光刻胶，在即将形成漏区的区域上方光刻定义一通孔，通过该通孔湿法腐蚀去掉该区域上方的硬介质II，再去掉光刻胶，随后刻蚀去掉该区域上方的多晶硅，进行n型离子掺杂注入形成器件的漏区；4)覆盖漏区淀积硬介质II，并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II，形成保护漏区的硬掩膜；5)在硬介质I和II掩膜上涂光刻胶，在即将形成源区的区域上方光刻定义一通孔，通过该通孔湿法腐蚀去掉该区域上方的硬介质II，再去掉光刻胶，随后刻蚀去掉该区域上方的多晶硅，进行p型离子掺杂注入形成器件的源区；6)覆盖源区淀积硬介质II，并以硬介质I掩膜的上表面为停止层化学机械抛光硬介质II，形成保护源区的硬掩膜；7)退火激活杂质，完成晶体管制作的后道工序。