[发明专利]一种利用腋芽增殖试管快繁地灵的方法

摘要

本发明公开了一种利用腋芽增殖试管克隆快繁地灵的方法，具体步骤包括休眠芽发育诱导培养；腋芽增殖培养；芽苗再增殖；壮苗生根培养；炼苗和缓苗；起窝和栽种；地灵大田定植缓苗后进行常规方法管理。本发明利用地灵地下根茎为外植体建立无性繁殖系，通过腋芽增殖进行地灵试管克隆繁育，克服了传统地灵利用根茎繁殖用种量大、繁殖效率低及多代无性繁殖种性退化严重、产量、品质下降等缺陷。效率高、技术路线可行、能集约化、大规模生产，为地灵优良品种快速、高效的克隆繁育、种性保持和种苗生产提供了一个可行的、有效的方法，该技术芽增殖系数在4.2左右、生根率为100％，定植成活率在95％以上。

主权项

一种利用腋芽增殖试管快繁地灵的方法，其特征在于，包括下列步骤：1)休眠芽发育诱导培养：在地灵收获期，选取大田栽培、生长健壮、单株产量高的地灵单株的地下根茎，经充分水洗后用质量分数为75％的乙醇消毒30秒，用每升含有0.1％的汞消毒10分钟，于无菌条件下切成带休眠芽的茎段，接种到地灵休眠芽发育诱导培养基上，于25℃～27℃温度、3000Lx光照条件下诱导地灵地下根茎休眠芽发育；所述的地灵休眠芽发育诱导培养基以通用培养基MS为基础，附加2.0mg/L的6-呋喃基氨基嘌呤；调整休眠芽发育诱导培养基的pH值为5.6，置高压灭菌锅(压力：1.0kg/cm2)灭菌15分钟；2)腋芽增殖培养：当休眠芽发育诱导培养基上的地灵根茎休眠芽发育到3～4片叶时，切下幼苗接种到地灵腋芽发育增殖培养基中，于温度25℃～27℃、3000Lx光照条件下诱导地灵无菌苗腋芽发育增殖；所述的腋芽增殖培养基以通用培养基MS为基础，附加2.0mg/L的6-呋喃基氨基嘌呤(KT)和0.5mg/L的吲哚乙酸(IAA)；调整腋芽增殖培养基的pH值为5.6，置高压灭菌锅(压力：1.0kg/cm2)灭菌15分钟；无菌苗经过腋芽增殖培养，一个无菌苗增殖到4～5个苗或枝条；3)芽苗再增殖：切取腋芽增殖培养基上的单个枝条，接种到同一腋芽增殖培养基上，在同样培养条件下诱导腋芽发育再增殖；腋芽发育增殖进行多次，每次为一代，根据增殖起始苗数、有效繁殖系数和年生产规模确定增殖代数；4)壮苗生根培养：地灵腋芽发育增殖每一代的试管苗和增殖培养结束后所有试管苗，切下单个芽苗转入壮苗生根培养基中，于25℃条件下连续光照培养18天进行壮苗生根；壮苗生根培养基以通用培养基MS为基础，将MS通用培养基的无机盐浓度降低一半，并附加0.5mg/L的α-萘乙酸(NAA)；调整壮苗生根培养基的pH值为5.6，置高压灭菌锅灭菌15分钟(1.0kg/cm2)；5)炼苗和缓苗：试管苗生根壮苗培养18天后，向培养瓶中加少量无菌自来水，于10～18℃遮阴条件下炼苗3～6天，然后取出试管苗，洗净根部琼脂，移栽于含30％沙子的沙质土壤营养钵中，置于10～18℃遮阴条件下缓苗10～15天；6)起窝和栽种：地灵大田定植每亩按3000～5000株起窝，每窝浇足水，将去掉营养钵的地灵苗连同介质直接栽入并复土、浇水；7)地灵大田定植缓苗后，按常规方法管理。