[发明专利]分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制造方法

摘要

一种分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制作方法，包括：在半导体衬底上的刻蚀阻挡层上形成开口；在开口内侧壁形成偏移侧墙；以刻蚀阻挡层和偏移侧墙为掩膜在半导体衬底内形成沟槽；在沟槽内壁形成衬氧化层，形成嵌入所述衬氧化层的浮栅；去除偏移侧墙；在开口内壁形成隧道氧化层；在开口侧壁形成依次覆盖隧道氧化层的控制栅极、第一绝缘层；依次刻蚀隧道氧化层，浮栅和衬氧化层至暴露出沟槽底部，形成两个分离的结构单元；在半导体衬底内形成源极；在两个分离的结构单元的内侧壁形成第二绝缘层并填充第二传导层；去除刻蚀阻挡层；形成漏极。所述制作方法减小了制作掩膜的步骤，使器件的耦合率更加容易控制。

主权项

一种分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的刻蚀阻挡层，在所述的刻蚀阻挡层上形成开口；在所述开口内侧壁形成偏移侧墙；以所述刻蚀阻挡层和偏移侧墙为掩膜，刻蚀半导体衬底，在半导体衬底内形成沟槽；在沟槽内壁形成衬氧化层，随后形成嵌入所述衬氧化层的浮栅；去除所述偏移侧墙；在所述刻蚀阻挡层的开口内壁形成隧道氧化层；在所述开口侧壁形成依次覆盖隧道氧化层的控制栅极、第一绝缘层；以所述刻蚀阻挡层和第一绝缘层为掩膜，依次刻蚀隧道氧化层，浮栅和衬氧化层至暴露出沟槽底部，形成两个分离的包括第一绝缘层、控制栅极，隧道氧化层，浮栅和衬氧化层的结构单元；以所述刻蚀阻挡层和第一绝缘层为掩膜，在半导体衬底内进行第一离子注入，形成源极；在两个分离的结构单元的内侧壁形成第二绝缘层；在两个分离的结构单元之间的间隙中填充第二传导层；去除刻蚀阻挡层；在隧道氧化层外侧的半导体衬底内进行第二离子注入，形成漏极。