[发明专利]共享字线的分栅式闪存制造方法

摘要

本发明提出一种共享字线的分栅式闪存制造方法，所获得的共享字线的分栅式闪存将两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线，两个控制栅以及源漏极区域施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享位线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。具有尖端的浮栅与字线形成自对准结构，有利于器件擦除时隧穿电场的增强，从而能够有效降低擦除电压。

主权项

一种共享字线的分栅式闪存制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体衬底，并依次沉积二氧化硅层、浮栅多晶硅层和氮化硅层；对所述氮化硅层进行干法刻蚀直至露出所述浮栅多晶硅层，形成多个凹槽；对所述凹槽内的浮栅多晶硅层进行干法刻蚀，形成浮栅斜面；在上述结构表面沉积一层均匀氧化物并对其进行干法刻蚀露出所述氮化硅层顶部和部分所述浮栅多晶硅层，在所述凹槽侧壁形成侧墙氧化物；在上述结构表面沉积隔离氧化物；在上述结构表面沉积控制栅多晶硅层；对所述控制栅多晶硅层和隔离氧化物进行干法刻蚀，直至露出所述氮化硅层顶部和部分凹槽底部的浮栅多晶硅层；对所述露出的浮栅多晶硅层进行干法刻蚀，并进一步湿法刻蚀其下的二氧化硅层，直至露出所述半导体衬底；对凹槽底部的半导体衬底进行离子注入，形成位线；在上述结构表面沉积高密度等离子体氧化物并对其进行研磨，直至露出所述氮化硅层顶部；湿法刻蚀去除所述氮化硅层，并进一步利用干法刻蚀去除露出的浮栅多晶硅层和湿法刻蚀去除二氧化硅层，直至露出半导体衬底；在上述结构上沉积隧穿氧化物层和字线多晶硅；对所述字线多晶硅进行研磨露出所述高密度等离子体氧化物。