[发明专利]制作氮化物类半导体发光元件的方法

摘要

一种制作氮化物类半导体发光元件的方法，能够改善阱层的膜厚方向上的铟组分不均匀，并且能够降低阱层内的缺陷密度。在阱层生长的第1期间(P1)，向生长炉(10)中供给作为III族原料的镓原料和铟原料，生长InGaN薄层。在第2期间(P2)，在不供给镓原料的情况下，向生长炉(10)中供给铟原料。第2期间(P2)与第1期间(P1)连续。第1期间(P1)为时刻t3～t4、时刻t5～t6。在时刻t3～t4，生长InGaN薄层(24a)，在时刻t5～t6，生长InGaN薄层(26a)。第2期间(P2)为时刻t4～t5。活性层(21)的阱层(25)由多个InGaN薄层(24a、26a)构成。

主权项

一种通过有机金属气相生长法制作包含活性层的氮化物类半导体发光元件的方法，其特征在于，包括以下步骤：向生长炉中供给镓原料和氮原料，在第1温度下生长由第1氮化镓类半导体构成的阻挡层；在生长所述阻挡层之后，向所述生长炉中供给氮原料而不供给镓原料的情况下，进行铟原料的预供给；以及在所述预供给之后，立即向生长炉中供给镓原料和氮原料，在低于所述第1温度的第2温度下，在所述阻挡层上生长由InGaN构成的阱层，生长所述阱层的步骤包括多个第1期间和位于所述第1期间之间的第2期间，在所述多个第1期间，分别向所述生长炉中供给作为III族原料的镓原料和铟原料，生长多个InGaN层，在所述第2期间，在不供给所述镓原料的情况下，向所述生长炉中供给铟原料，所述阱层由所述多个InGaN层构成，所述活性层包括所述阱层和所述阻挡层，并且被设置在氮化镓类半导体区域的主面上。