[发明专利]在单晶基板上形成悬浮物件的方法无效
| 申请号： | 201010110687.6 | 申请日： | 2010-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102161469A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈晓翔 | 申请（专利权）人： | 汉积科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种在单晶(monolithic)基板上形成悬浮物件的方法，其中所述单晶基板的硅基层上具有由至少一湿式蚀刻区、至少一电路区及至少一微结构区所组成的电路层，所述湿式蚀刻区是作为所述电路区与所述微结构区间的区隔，并往下延伸至所述硅基层的表面，进而形成从基板上方蚀刻所述硅基层的蚀刻路径，接着以干式蚀刻的方式分别从硅基层的上、下两面进行蚀刻而悬浮所述微结构区。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶基板上 形成 悬浮 物件 方法 | ||
【主权项】：
一种在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，其包括：(a)提供一单晶基板，其是由一硅基层以及所述硅基层上方的电路层所组成，所述电路层中具有至少一湿式蚀刻区，且所述湿式蚀刻区是延伸至硅基层的表面；(b)以湿蚀刻的方式移除湿式蚀刻区内的材料，直至所述硅基层；(c)以非等向性的干蚀刻方式，对湿式蚀刻区底部的硅基层进行蚀刻，至一预定的蚀刻深度；以及(d)从所述单晶基板下表面移除部分的硅基层，直至步骤(c)中的预定蚀刻深度位置处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉积科技股份有限公司，未经汉积科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010110687.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于移动终端的事件提醒方法及事件提醒提醒系统
- 下一篇：场致发射灯
