[发明专利]铟铈铁三掺铌酸锂晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201010110716.9 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101768780A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 徐朝鹏;毕卫红;焦斌亮;韩富兴;赵岩;巩洁 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 秦皇岛市维信专利事务所 13102 | 代理人： | 鄂长林 |
| 地址： | 066004河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铟铈铁三掺铌酸锂晶体及制备方法，属非线性光学晶体领域。所述晶体由纯度为99.99％的Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CeO2和In2O3制成；其制备方法的步骤是：1)将粉料按照配比称取、充分混合后进行烧结；2)用中频炉加热，采用提拉法按照引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序生长铟铈铁三掺铌酸锂晶体；3)通过二波耦合测试该晶体；4)通过直接透射光斑畸变法测试该晶体。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显改善了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间，本发明将极大推动铌酸锂晶体材料在三维体全息存储领域的应用，具有巨大的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 铟铈铁三掺铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铟铈铁三掺铌酸锂晶体，其特征是：由纯度为99.99％的Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CeO2和In2O3制成；其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.94～1.38∶1，Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.05wt％，CeO2的掺杂浓度为0.1～0.3mol％，In2O3的掺杂浓度为0.5～1.5mol％。
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