[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201010111076.3 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157437A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体结构的形成方法，本发明通过分开刻蚀栅极区和源/漏区，以分别形成栅极接触孔和源/漏极接触孔，避免了由于栅极和源/漏极之间的高度差造成的接触孔一并形成的困难，使得接触孔的形成变得更为容易。并且提出包含光刻和金属填充工艺的双重镶嵌法(dual damascene processing)，用以接触孔的刻蚀和填充，从而实现接触孔和连接接触孔的第一层金属区的形成工艺的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：形成CMOS结构，其中所述CMOS结构包括：衬底、形成在衬底之中的源/漏极以及形成在衬底之上的栅极、形成在源/漏极和/或栅极之上的金属硅化物层、和形成在衬底之上的覆盖层；进行第一次刻蚀以形成栅极接触孔，以及相同深度的源/漏极接触孔；进行第二次刻蚀以形成完全深度的源/漏极接触孔以及连接所述栅极接触孔和所述源/漏极接触孔的第一层金属区；和填充所述栅极接触孔、所述源/漏极接触孔和所述第一层金属区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
