[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法有效
| 申请号： | 201010111207.8 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102148182A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张瑛;林伟铭;吴晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽，所述浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形；去除与浅沟槽侧壁顶部对应的氮化硅层直至暴露出衬垫氧化层；在所述浅沟槽侧壁、顶部和底部形成保护氧化层；在氮化硅层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；去除隔离介质层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层和衬垫氧化层。本发明形成的浅沟槽隔离无边沟现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽，所述浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形；去除与浅沟槽侧壁顶部对应的氮化硅层直至暴露出衬垫氧化层；在所述浅沟槽侧壁、顶部和底部形成保护氧化层；在氮化硅层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；去除隔离介质层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层和衬垫氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
