[发明专利]晶体管及该晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201010113241.9 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101800249A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于：在将氧化物半导体层用作沟道层的晶体管中，减少特性的不均匀，并且还减少氧化物半导体层和源电极层及漏电极层之间的接触电阻。在使用氧化物半导体设置沟道层的晶体管中，至少使用非晶结构设置氧化物半导体层的区域中的位于源电极层和漏电极层之间且形成有沟道的区域，并且使用结晶结构设置氧化物半导体层的区域中的与源电极层及漏电极层等的外部电连接的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极层及漏电极层；电连接到所述源电极层的第一金属氧化物层；电连接到所述漏电极层的第二金属氧化物层；以及与所述栅电极重叠的具有非晶结构的氧化物半导体层，该氧化物半导体层与所述栅电极之间夹有所述栅极绝缘层，其中，至少所述氧化物半导体层中的与所述第一金属氧化物层接触的第一区及与所述第二金属氧化物层接触的第二区中的每一个分别具有结晶结构。
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