[发明专利]一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法有效
| 申请号： | 201010113756.9 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102169714A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;孟超;董存霖;程宽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法。本发明的刷新操作方法包括在体硅FBC的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通步骤，使存储器由“强1”状态变为“弱1”状态，或者由“弱0”变为“强0”状态；该方法并不利用Charge Bumping(电荷泵)效应进行刷新操作，因此具有刷新操作的可靠性高的特点。同时，对于FBC存储器单元或存储器，刷新操作过程中不存在读取过程，进而可以对FBC存储器的存储阵列进行整体刷新操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 体硅浮体 晶体管 存储器 刷新 操作方法 | ||
【主权项】：
一种体硅浮体晶体管存储器单元的刷新操作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在浮体晶体管的栅极上偏置电压脉冲，以使存储第一数据状态的浮体晶体管导通，或者以使存储第二数据状态的浮体晶体管截止；在浮体晶体管的漏端/源端偏置高电平脉冲，以使所述导通的浮体晶体管的浮体区的存储电荷实现第一增量，或者以使所述截止的浮体晶体管的浮体区的存储电荷实现第二增量，所述第一增量远大于第二增量；在浮体晶体管的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结反向截止；(2)在浮体晶体管的隐埋层上偏置电压脉冲，以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通；以及(3)重复所述第(1)步骤。
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