[发明专利]带电阻随机存储器模块的单芯片结构可编程逻辑器无效
| 申请号： | 201010113787.4 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102169711A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;陈凤娇;薛晓勇 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C11/00;G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括地址电路模块(310)、比较单元(320)、SRAM模块(380)、逻辑阵列(390)以及用于克服SRAM模块中软错误率的电阻随机存储器模块(370)，所述电阻随机存储器模块与地址电路模块、比较单元、SRAM模块、逻辑阵列实现单芯片集成。该可编程逻辑器不但能克服SRAM中的SER问题，还具有单芯片、体积小、抗辐射、功耗低、成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机 存储器 模块 芯片 结构 可编程 逻辑 | ||
【主权项】：
一种可编程逻辑器，其特征在于包括地址电路模块(310)、比较单元(320)、SRAM模块(380)、逻辑阵列(390)以及用于克服SRAM模块中软错误率的非挥发存储器模块，所述非挥发存储器模块为电阻随机存储器模块(370)，所述电阻随机存储器模块与地址电路模块、比较单元、SRAM模块、逻辑阵列实现单芯片集成。
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