[发明专利]非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法有效
| 申请号： | 201010117126.9 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102194017A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 曾璇;杨帆;潘晓达 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属集成电路领域，涉及一种集成电路非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法。该方法通过建立非线性电路的晶体管级分段线性模型，通过加权方法从所有晶体管的分段线性模型得到整个电路的模型，在此基础上对晶体管级分段线性模型进行降阶。本发明解决了现有技术基于“轨迹”的分段线性非线性模型降阶所存在的空间覆盖率小的问题，显著提高轨迹分段线性方法在高维状态空间的覆盖率。如使用完整的晶体管分段线性模型，获得的分段线性模型可以完整地覆盖所有的状态空间而不依赖于“训练”信号。 | ||
| 搜索关键词： | 非线性 电路 晶体管 分段 线性 建模 模型 方法 | ||
【主权项】：
一种非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法，其特征在于，其包括如下步骤：步骤1：将非线性系统的线性化模型通过stamp方法表示为非线性电路中所有晶体管和线性元件的贡献的组合形式；步骤2：构造每个晶体管的分段线性模型，并通过加权函数组合在一起，构成整个非线性电路的分段线性模型；步骤3：对非线性电路的晶体管级的分段线性模型进行投影降阶，获得降阶模型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010117126.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种I/O监控方法
- 下一篇：网页主题内容抽取方法
