[发明专利]在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法有效
| 申请号： | 201010118650.8 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101800245A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·赫里克;迪安·E·普罗布斯特;弗雷德·塞西诺 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 如下所述形成一种屏蔽的栅极沟槽FET。在第一导电类型的硅区域(204)中形成沟槽(202)，该沟槽(202)包括通过屏蔽电介质(206)与硅区域(204)绝缘的屏蔽电极(208)。沿屏蔽电极(208)的上表面形成包括热氧化物层(210)和共形电介质层(212)的多晶硅层间电介质(IPD)(214)。至少顺着上部沟槽(202)侧壁形成栅极电介质(216)。在沟槽中形成栅电极(218)，使得栅电极通过IPD与屏蔽电极绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 栅极 场效应 晶体管 形成 多晶 硅层间 电介质 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：沟槽，延伸至第一导电类型的硅区域中；屏蔽电极，位于所述沟槽下部中，所述屏蔽电极通过屏蔽电介质与所述硅区域绝缘；以及栅电极，位于所述沟槽中，在所述屏蔽电极之上，但通过沿其上表面的至少中间部分具有凹的轮廓的层间电介质与所述屏蔽电极绝缘。
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