[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

摘要

本发明关于一种半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构包括一基材、一第一电容、一第一保护层、一第一金属层及一第二保护层。该基材具有至少一穿导孔结构。该第一电容位于该基材的一第一表面。该第一保护层包覆该第一电容。该第一金属层位于该第一保护层上，且包括一第一电感。该第二保护层包覆该第一电感。藉此，可将该第一电感、该第一电容及该穿导孔结构一并整合至该半导体封装结构内，以缩减产品尺寸。

主权项

一种半导体封装结构的制造方法，包括：(a)提供一基材，该基材包括至少一沟槽及至少一导电孔结构，该导电孔结构位于该沟槽内；(b)形成一第一电容于该基材上，该第一电容包括一第一下电极、一第一介电层及一第一上电极，该第一下电极位于该基材上，该第一介电层位于该第一下电极上，该第一上电极位于该第一介电层上；(c)形成一第一保护层，以包覆该第一电容，该第一保护层包括数个第一开口，该等第一开口显露该导电孔结构、部分该第一下电极及部分该第一上电极；(d)形成一第一金属层于该第一保护层上，该第一金属层包括一第一电感，且直接接触该导电孔结构、该第一下电极及该第一上电极；及(e)形成一第二保护层，以包覆该第一电感。