[发明专利]利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法无效
| 申请号： | 201010119349.9 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101807640A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张连;丁凯;王军喜;段瑞飞;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区、宽禁带势垒层和p型层，形成外延片；步骤3：在外延片上面的一侧进行刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面，形成一台面；步骤4：在该台面上制备一n电极；步骤5：在p型层的上面，制备一p电极。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 三维 极化 感应 空穴 提高 led 发光 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区、宽禁带势垒层和p型层，形成外延片；步骤3：在外延片上面的一侧进行刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面，形成一台面；步骤4：在该台面上制备-n电极；步骤5：在p型层的上面，制备-p电极。
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